德州仪器打造低电压65纳米超底功耗SRAM

2006

05-12

09:15:59

 358

来源：

来源：通信产业报
日前，美国麻省理工学院(MIT)的研究员将在的固态电路会议上展示一款采用德州仪器(TI)*65纳米CMOS工艺制造的超低功耗(ULP)256kb静态随机存取存储器(SRAM)测试器件。

该款SRAM专为要求高性能、低功耗的电池供电设备开发而成，能够提供业界zui低的电压，而且设计人员正在考虑为该产品采用TI的SmartReflex电源管理技术来延长移动产品的电池使用寿命。MIT与TI联合开发的SRAM器件建立在TI*的65纳米工艺基础之上，其集成的多种技术能够充分满足业界日益增长的低功耗要求。

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