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摘要: 吉致电子氧化铝抛光液分散性好、乳液均一,提升抛光速率,降低微划伤的概率,提高抛光精度。适用于光学晶体、SiC表面抛光、超硬陶瓷和金属表面.
江苏省无锡新吴区行创四路19-2
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摘要: 吉致电子氧化铝抛光液分散性好、乳液均一,提升抛光速率,降低微划伤的概率,提高抛光精度。适用于光学晶体、SiC表面抛光、超硬陶瓷和金属表面
江苏省无锡新吴区行创四路19-2
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摘要:无锡吉致电子25年研发生产——
铝合金抛光液/铝合金slurry/铝合金悬浮液/铝合金抛光液抛光浆料Slurry/铝合金CMP抛光液/铝合金化学机械抛光液/铝合金lapping研磨抛光液/铝合金...
江苏省无锡新吴区行创四路19-2
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摘要: 吉致电子抛光垫满足低、中及高硬度材料抛光需求,针对碳化硅SIC抛光的4道工艺制程搭配不同型号抛光垫(粗磨垫/精磨垫/粗抛垫/精抛垫)具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性价比等优点。
江苏省无锡新吴区行创四路19-2
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摘要:无锡吉致电子25年研发生产——浅槽隔离抛光液/STI Slurry抛光液/浅沟槽隔离化学机械抛光液/浅沟槽隔离Slurry/浅槽隔离研磨抛光液/STI浅槽隔离平坦化抛光液slurry/浅沟槽隔离抛光液...
江苏省无锡新吴区行创四路19-2
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摘要:无锡吉致电子25年研发生产——
Apple Logo镜面抛光液、手机Logo抛光液、铝合金抛光液、金属抛光液、CMP抛光液、平面研磨抛光液、手机logo化学机械抛光液、CMP化学机械抛光液Slu...
江苏省无锡新吴区行创四路19-2
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摘要: 为电力电子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化学机械平坦化配制的抛光液。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆表面去除率和平坦化性能,提供了非常好的表面光洁度。。
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摘要: 不锈钢材质粗抛/中抛/镜面抛光工序,并根据不锈钢工件型号的不同配套有相应的不锈钢抛光液。抛光后能够实现高标准的平行度和非常好的镜面效果。
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摘要:为半导体行业/光学行业调配的蓝宝石研磨液/蓝宝石LED衬底抛光液/Sapphire Slurry组合浆料,适用于蓝宝石基片、外延片、LED的平坦化加工。设计满足从研磨到CMP的衬底制造的各个工艺阶段的...
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摘要: 金相圆盘砂纸
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摘要: 吉致电子金属logo抛光液适用于Apple Logo抛光,钛合金、铝合金、不锈钢材质的logo标志可通过CMP粗磨、细磨和抛光工序得到理想镜面效果,具有易清洗、无残留等特点。
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摘要: 吉致电子硬质合金抛光液适用于硬度高韧性耐腐蚀的合金金属工件,通过CMP粗磨、细磨和抛光工序可得到理想镜面效果,合金金属研磨液具有易清洗、无残留等特点。
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摘要: 吉致电子抛光垫满足低、中及高硬度材料抛光需求,针对碳化硅SIC抛光的4道工艺制程搭配不同型号抛光垫(粗磨垫/精磨垫/粗抛垫/精抛垫)具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性价比等优势。
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摘要:为金属模具及电子器件、金属边框抛光、金属外壳抛光、手机按键抛光、苹果Logo抛光等配制的抛光液。适用于手机钛合金件研磨抛光液/铝合金件研磨抛光液/镁合金件研磨抛光液/不锈钢研磨抛光液
吉致电子...
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摘要: 为半导体行业/铌酸锂晶体晶圆制备的化学机械抛光液/Slurry组合浆料,适用于LiNbO3领域的平坦化高效加工。设计满足铌酸锂(LiNbO3)晶圆提高材料去除率,降低表面粗糙度,获得超光滑表面
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摘要:为半导体行业电子封装使用的陶瓷覆铜板、DBCDPC基板等配制的CMP研磨液及抛光液,适用于陶瓷覆铜板的粗抛及精抛流程。吉致电子陶瓷覆铜基板抛光液大大提高了工件表面去除率和平坦化性能,提供了非常好的镜面...
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摘要: 提高集成度、降低功耗系统地集成数字电路、模拟电路。通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充实现硅通孔的垂直电气互连,用于3D封装TSV阻挡层化学机械抛光液。
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摘要:射频滤波器抛光液适用于集成电路当中的铜互连工艺制程中铜的去除和平坦化。
具有高的铜去除速率,碟型凹陷可调,低缺陷等特性。可应用于逻辑芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量产使用。清除集成电路中...
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摘要: 吉致电子钨W抛光液适用于8-12吋氧化硅镀膜片的抛光。特选粒径均一的SiO2水溶胶为磨料,抛光清洗后晶圆表面粗糙度低、颗粒残留少。与国内外同类产品相比,具有易清洗、表面粗糙度低等特点.
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摘要: 为半导体行业/光学行业调配的磷化铟InP抛光液/CMP Slurry组合浆料,适用于磷化铟晶圆的平坦化加工。
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