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UV紫外线传感器具有体积小、检测紫外线灵敏、低功耗、寿命长的特点,属于一种半导体紫外线传感器,是一种P-N异质节光电二极管,该紫外线传感器不吸收可见光,具有体积小、检测紫外线灵敏、低功耗、寿命长的特点,UV紫外线传感器有直插DIP和贴片SMD两种封装,是基于氮化镓宽禁带半导体材料制备而成的,氮化镓半导体紫外线传感器具有很强的可见光抗干扰特性,在检测紫外线传感器时不需附加滤光片来抑制可见光。UV紫外线传感器在受到紫外线照射后能产生一定的电压输出信号,并且输出电压信号与紫外线照射强度成递增关系,因此该紫外线传感器可用于户外紫外线强度定性测量,也可用于一些紫外线发生产品的发光效率定性检验。
UV紫外线传感器是一种P-N异质节光电二极管,是基于氮化镓宽禁带半导体材料制备而成的属于半导体型紫外线传感器,氮化镓(GaN)的禁带宽度约为3.4电子伏,不吸收可见光。具有不吸收可见光,具有体积小、检测紫外线灵敏、低功耗、寿命长的特点,UV紫外线传感器的主要响应区域覆盖了长波紫外线 (UVA, 波段范围400 nm-315 nm) 和中波紫外线 (UVB, 波段范围 315 nm-280 nm ) 的波段范围。 UV紫外线传感器有直插DIP和贴片SMD两种封装形式可供选择,此紫外线传感器是基于氮化镓宽禁带半导体材料制备而成的,是一种P-N异质节光电二极管。氮化镓(GaN)的禁带宽度约为3.4电子伏,不吸收可见光。因此氮化镓半导体紫外线传感器具有很强的可见光抗干扰特性,在检测紫外线传感器时不需附加滤光片来抑制可见光。UV紫外线传感器在受到紫外光线照射后能产生一定的电压输出信号,并且输出电压信号与紫外线照射强度成递增关系,因此该紫外线传感器可用于户外紫外线强度定性测量,也可用于一些紫外线发生产品的发光效率定性检验。
技术参数 符号 额定值 单位 工作温度 Topr -25-+70 oC 储存温度 Tstg -40-+70 oC 焊接温度 Tsol 260 oC 功耗(温度≤25oC) Ps 150 mW
参数 符号 条件 最小值 中心值 值 单位 光谱带宽变化范围 λb - 290 - 400 nm 峰值灵敏度波长 λP - - 330 - nm 暗光输出电压 Vdark 光强=100μW/m2(λP=330nm) - 0 2 mv 灵敏度 Vs RL=1MΩ 3.9 4.0 4.1 mu/uvi 反向击穿电压 VBR - 30 40 100 V 正向电压 VF Lf=10mA 2.6 3.0 3.5 V 总电容 Ct f=1MHz - 6 - pf 上升时间 tr RL=1MΩ CL=1000pf - 10 - ms 下降时间 tf RL=1MΩ CL=1000pf - 50 - ms
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