深圳市月盛电子有限公司
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G3VM-62C1/F1 MOS FET继电器应用于模拟信号开关的MOS FET继电器可对应AC2.5kV的输入输出间耐压和开闭大电流场合▶ 负载电压60V系列中增加了双通道型。▶ 可用于微小模拟信号的开关。
■欧姆龙MOS继电器G3VM-62C1电气性能（Ta ＝25℃）
| 项目 | 符号 | 最小 | 标准 | 单位 | 条件 | ||
| 输入侧 | LED正向电压 | VF | 1.0 | 1.15 | 1.3 | V | IF=10mA |
| 反向电流 | IR | — | — | 10 | μA | VR＝5V | |
| 端子间电容 | CT | — | 30 | — | pF | V=0、f=1MHz | |
| 触发LED正向电流 | IFT | — | 1.6 | 3 | mA | IO=500mA | |
| 复位LED正向电流 | IFC | 0.1 | — | — | mA | IOFF=100μA | |
| 输出侧 | 输出导通电阻 | RON | — | 1.0 | 2.0 | Ω | IF＝5mA、IO＝500mA |
| 开路时漏电流 | ILEAK | — | — | 1.0 | μA | VOFF=60V | |
| 端子间电容 | C0FF | — | 130 | — | pF | V=0、f=1MHz | |
| 输入输出间电容 | CI-O | — | 0.8 | — | pF | f=1MHz、VS=0V | |
| 输入输出间电容绝缘电阻 | RI-O | 1000 | 108 | — | MΩ | VI-O＝500VDC、ROH≦60% | |
| 动作时间 | tON | — | 0.8 | 2.0 | ms | IF=5mA 、RL=200Ω、VDD=20V（注2） | |
| 复位时间 | tOFF | — | 0.1 | 0.5 | ms | ||
| （注2）: 动作· 复位时间 | |
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