深圳韦克威科技有限公司
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2952采用了一个的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。性能*，采用DFN8L封装形式(2mm ×2mm×0.45mm)特性 ：隧道磁阻（TMR）技术高稳定性高灵敏度：2mV/V/Gs低磁滞：0.3%@
2952采用了一个的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。性能*，采用DFN8L封装形式(2mm ×2mm×0.45mm)
特性 ：
隧道磁阻（TMR）技术
高稳定性
高灵敏度：2mV/V/Gs
低磁滞：0.3%@±100Gs
线性误差：±1%@±100Gs
工作磁场范围：±100Gs
工作温度范围：-40~125℃
供电电压：1~7V
(典型电路图)
应用：
电流传感器
磁力计
角度传感器
位置传感器
（封装尺寸）
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