详细摘要： HVP-B10K/IRE可产生+/- 10KV，峰峰值20 KV；可适用于的不可逆电穿孔（IRE）的肿瘤消融，以及相关的科研与学术研究。HVP-B10K/IRE...
产品型号：所在地：西安市更新时间：2024-08-22 在线留言西安灵枫源电子科技有限公司
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详细摘要： HVP-B10K/IRE可产生+/- 10KV，峰峰值20 KV；可适用于的不可逆电穿孔（IRE）的肿瘤消融，以及相关的科研与学术研究。HVP-B10K/IRE...
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详细摘要： HVP-B2000/CMTI专用于半导体芯片的共模瞬态抗扰度的测试。HVP-B2000/CMTI可产生双极性的+/- 2KV峰值电压，脉冲斜坡速率达300KV/...
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详细摘要： HVP-B5000/IRE 新一代多用途的纳米刀肿瘤消融脉冲电源，双极性+/- 5KV、峰峰值10KV的纳秒脉冲波形，其脉冲宽度从200 ns 到5us可调，覆...
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详细摘要： HVP-B3000/IRE 为单通道双极性输出的快速高压纳秒脉冲电源，其输出的复合陡脉冲涵盖从百纳秒（ns）到数十微妙（us）的脉宽方波，同时支持正负脉冲独立可...
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详细摘要： HVP-B1500/IRE采用全固态器件设计的双极性快速脉冲电源，峰值电压从0 到±1.5KV可调，脉冲宽度可达100 us, 可应用不可逆电穿孔...
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详细摘要： HVP-20 P(N) 是泛的用于气体放电与低温等离子体的高性能纳秒高压脉冲电源。HVP-20P(N)采用专有的marx电路，实现高压脉冲电源所有参数的便捷可调...
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详细摘要： HVP-B200/IRE专为新一代不可逆电穿孔技术用于肿瘤消融的双极性高压纳秒脉冲电源，广泛应用于IRE科研、以及商业的纳米刀消融。HVP-B2000/IRE通...
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