型号: OTF-1200X-IV-HPCVD 产品概述: OTF-1200X- IV -HPCVD是一款坩埚可在炉管内移动(靠步进电机控制)的4温区管式炉,所有电器元件都通过了UL / MET / CSA认证。炉管外径为50mm,设备工作温度为1200℃,每个温区长度为100mmL, 每个温区由独立的温控系统控制,都可设置30段升降温程序,控温精度为+/-1℃。通过触摸屏数字控制器控制样品台或坩埚在炉管内的位置和温度。此设备可进行快速热处理,例如混合物理化学沉积(HPCVD),快速热蒸发(RTE),以及在各种气氛下进行的水平布里奇曼晶体生长(HDC),用于新一代晶体研究。