详细摘要: l采用进口扩散硅压力敏感元件,的膜片隔离技术l放大电路采用进口美国BB集成芯片,宽电压供电l结构小巧、安装方便l截频干扰设计、抗力强、防雷击l接线反向和过压保护...
产品型号:SA-P-D2所在地:上海市更新时间:2024-04-03 在线留言上海余洋传感科技有限公司
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产品型号:SA-P-D1所在地:上海市更新时间:2024-04-03 在线留言详细摘要: 压力传感器是在单晶硅片上扩散一个惠斯通电桥,被测介质(气体或液体)施压使桥壁电阻值发生变化(压阻效应),产生一个差动电压信号
产品型号:SA-P1所在地:上海市更新时间:2024-04-03 在线留言详细摘要: 压力传感器是在单晶硅片上扩散一个惠斯通电桥,被测介质(气体或液体)施压使桥壁电阻值发生变化(压阻效应),产生一个差动电压信号
产品型号:SA-P4所在地:上海市更新时间:2024-04-03 在线留言详细摘要: 压力传感器是在单晶硅片上扩散一个惠斯通电桥,被测介质(气体或液体)施压使桥壁电阻值发生变化(压阻效应),产生一个差动电压信号
产品型号:SA-P3所在地:上海市更新时间:2024-04-03 在线留言详细摘要: 压力传感器是在单晶硅片上扩散一个惠斯通电桥,被测介质(气体或液体)施压使桥壁电阻值发生变化(压阻效应),产生一个差动电压信号
产品型号:SA-P2所在地:上海市更新时间:2024-04-03 在线留言详细摘要: 压力传感器是在单晶硅片上扩散一个惠斯通电桥,被测介质(气体或液体)施压使桥壁电阻值发生变化(压阻效应),产生一个差动电压信号
产品型号:SA-P5所在地:上海市更新时间:2024-04-03 在线留言详细摘要: 压力传感器是在单晶硅片上扩散一个惠斯通电桥,被测介质(气体或液体)施压使桥壁电阻值发生变化(压阻效应),产生一个差动电压信号
产品型号:SA-P9所在地:上海市更新时间:2024-04-03 在线留言详细摘要: 压力传感器是在单晶硅片上扩散一个惠斯通电桥,被测介质(气体或液体)施压使桥壁电阻值发生变化(压阻效应),产生一个差动电压信号
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产品型号:SA-P8所在地:上海市更新时间:2024-04-03 在线留言详细摘要: 压力传感器是在单晶硅片上扩散一个惠斯通电桥,被测介质(气体或液体)施压使桥壁电阻值发生变化(压阻效应),产生一个差动电压信号
产品型号:SA-P7所在地:上海市更新时间:2024-04-03 在线留言您感兴趣的产品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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